ASML 4022.436.1555

光源技术:采用极紫外(EUV)光源技术,波长为13.5纳米。

数值孔径(NA):0.33,支持高分辨率光刻。

曝光场尺寸:26 mm×33 mm。

套刻精度:小于1.3纳米。

生产效率:每小时可处理约125-155片晶圆。

掩模版尺寸:支持6英寸和8英寸掩模版。

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描述

ASML 4022.436.1555产品说明

ASML 4022.436.1555是一款用于半导体光刻设备的高精度控制模块,通常应用于光刻机中的光源系统或控制模块。它能够提供高精度的控制信号,确保半导体制造过程中的精度和效率。

产品参数

光源技术:采用极紫外(EUV)光源技术,波长为13.5纳米。

数值孔径(NA):0.33,支持高分辨率光刻。

曝光场尺寸:26 mm×33 mm。

套刻精度:小于1.3纳米。

生产效率:每小时可处理约125-155片晶圆。

掩模版尺寸:支持6英寸和8英寸掩模版。

优势和特点

高精度控制:能够实现微米级甚至纳米级的控制精度。

高稳定性:长时间运行保持稳定性能。

易于集成:采用标准接口和协议,便于与其他系统集成。

安全防护:具备完善的安全机制,可在异常情况下自动切断电源或发出警报。

智能化运维:内置健康监测模块,可预测关键部件寿命。

应用领域和应用案例

半导体制造:用于光刻机中的光源系统,支持高精度光刻。

先进制程:适用于7纳米及以下工艺节点的芯片制造。

高产能需求:支持大规模半导体生产。

竞品对比

技术优势:ASML 4022.436.1555在高精度和高稳定性方面表现出色。

集成能力:支持多种通信接口,便于与现有系统集成。

维护成本:模块化设计便于维护,降低长期使用成本。

选型建议

工艺需求匹配:如果需要高精度和高可靠性的控制模块,ASML 4022.436.1555是理想选择。

技术支持:建议选择能够提供长期技术支持和维护服务的供应商。

环境要求:确保设备安装在符合要求的环境中,避免高温、高湿度和灰尘。

注意事项

专业安装与维护:建议由经过培训的专业技术人员进行安装和维护。

定期校准:定期进行设备校准,确保长期稳定运行。

环境控制:使用环境应保持清洁,维持恒定的温度和湿度

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ASML 4022.436.1555

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