产品核心摘要
- 型号 (Model): 0040-00555
- 品牌 (Brand): Applied Materials（AMAT，美国应用材料）
- 系列 (Series): AMAT 半导体设备腔体消耗件 / 工艺套件（Process Kit）
- 核心功能 (Core Function): 隔离腔体反应区与外部结构，捕获溅射颗粒与反应副产物
- 成色: 原厂已停产，市面流通以全新库存备货、二手件、经清洗/翻新测试件为主，具体成色以询价确认为准
- 产品类型 (Type): 腔室屏蔽件（Chamber Shield / 腔体护罩）
- 关键规格 (Key Specs):
- 主体材质：316L 真空级不锈钢（典型配置）
- 表面处理：电解抛光 + 钝化，粗糙度 Ra≤0.8 μm
- 真空泄漏率：≤1×10⁻⁹ mbar·L/s
- 兼容平台：AMAT Endura PVD、Centura CVD、Producer Etch 等 200 mm / 300 mm 平台
⚠️ 0040-00555 原厂已停产（EOL），目前依赖二手、翻新或备货渠道流通。具体库存状态、成色（全新原装 / 翻新测试件）、适配腔体型号与最终交期、价格均需以询价单确认为准。
产品深度介绍
晶圆厂的 PVD/CVD 腔体每次开腔维护，最怕两件事——颗粒落回晶圆表面，以及反应副产物啃蚀腔壁。0040-00555 就是 AMAT 为应对这两个问题设计的腔室屏蔽件，装在腔体内部作为反应区与外部金属结构之间的物理屏障，正面扛等离子体轰击和化学腐蚀，背面保护加热器、电极、腔壁不被污染。
讲真，这块屏蔽件在 AMAT Endura 平台上属于”易耗且关键”的零件。Endura 平台是 AMAT 金属化系统的旗舰，单台设备可挂多达 9 个工艺腔，覆盖铝 PVD、钛/氮化钛 PVD、CuBS 铜阻挡层/种子层、钨/钼等难熔金属 PVD 等多种工艺。每个工艺腔在一次完整的金属互连薄膜沉积循环里，腔体内部都会积累溅射颗粒和反应副产物，屏蔽件就是这些污染物的”第一接收面”。它的 316L 真空级不锈钢基材 + 电解抛光处理（Ra≤0.8 μm）让表面不易藏污纳垢，配合 ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s 的真空密封性能，保证腔体抽真空时不会因屏蔽件本身泄露而拖慢工艺节奏。
💡 选型与替换提醒：0040-00555 的同系列”前护板”替代型号为 0040-00550，两者外形与安装位置不同，不可直接对调。实际替换前必须核对主机型号、腔体类型（PVD/CVD/Etch）、晶圆尺寸（200 mm 或 300 mm）以及工艺腔的具体配置——AMAT 同一零件号在不同腔体配置下的物理尺寸可能存在差异，请以到货物料铭牌与原厂图纸为准。
关键技术规格
| 参数项 | 规格值 |
|---|---|
| 产品型号 | 0040-00555 |
| 制造商 | Applied Materials（AMAT） |
| 产品类型 | 腔室屏蔽件（Chamber Shield / Cavity Shield） |
| 生命周期状态 | 原厂停产（EOL），市面以备货/二手/翻新件流通 |
| 主体材质 | 316L 真空级不锈钢（典型） |
| 表面处理 | 电解抛光 + 钝化，Ra≤0.8 μm |
| 耐温范围 | -20°C 至 +600°C（真空环境） |
| 耐腐蚀性能 | 耐 HF、H₂O₂、NH₃、Ar、N₂ 等半导体工艺气体 |
| 真空密封性 | 漏率 ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s |
| 兼容气体 | 惰性气体（Ar、N₂）、反应气体（O₂、H₂、NH₃、SiH₄ 等） |
| 兼容平台 | Endura PVD、Centura CVD、Producer Etch 等 |
| 晶圆平台 | 200 mm / 300 mm |
| 工艺类型 | PVD（物理气相沉积）、CVD（化学气相沉积）、Etch（刻蚀） |
| 安装方式 | 腔体内嵌式安装，真空密封 |
| 同系列替代型号 | 0040-00550（同系列前护板） |
| 配套零件 | 腔体内衬（Chamber Liner）、喷淋头（Showerhead）、阴影环（Shadow Ring）、工艺套件（Process Kit）等 |
| 合规标准 | SEMI S2、SEMI F47；材料符合 ASTM A240、AMS 5507；真空性能符合 ISO 14644 洁净室标准 |
